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快速導熱儀（瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法）性能特點
發(fā)布時間：2020/3/16 9:32:44 點擊次數(shù)：2922次
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一、快速導熱儀（瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法）概述：
本導熱儀采用瞬態(tài)平面熱源法，基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術，用Hot Disk探頭,專用高精度單元儀表的測試與通迅技術,利用計算機高速數(shù)據(jù)處理技術對探頭進行快速數(shù)據(jù)采集、通過完善的數(shù)學模型快速計算,能迅速測試出準確可靠的結(jié)果；專業(yè)儀表使整機可靠性特高，操作方便，維護迅速方便。
該儀器的優(yōu)點有：
(1)直接測量熱傳播，可以節(jié)約大量的時間；
(2)不會和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響；
(3)無須特別的樣品制備，對固態(tài)材料只需有一個相對平整的樣品表面。具有測量速度快、適用范圍寬以及能夠成功避免在實驗過程中自然對流的影響等優(yōu)點，是目前比較流行的測試方法。
設備參考標準：ISO 22007-2 2008。
測試材料: 金屬、陶瓷、合金、導熱硅脂、硅膠、硅橡膠、巖土、巖石、聚合物、紙、織物、泡沫塑料、混凝土、復合板材、紙蜂窩板等固體、粉末、液體、糊狀、涂層、薄膜、各向異性材料等的導熱系數(shù)、導溫系數(shù)（熱擴散系數(shù)）和比熱容、蓄熱系數(shù)及熱阻。
二、快速導熱儀（瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法）主要參數(shù)：
1.導熱系數(shù)測定范圍：0.0001～100 w/(m.k),分辯率為0.00001w/(m.k)；
2.熱擴散系數(shù)（導溫系數(shù)）范圍：0.1～100 m2/s；
3.蓄熱系數(shù)范圍：0.1～30 w/(m2.k)；
4.比熱容范圍：0.1～5 kJ/(kg.℃)；
5.熱阻范圍：0.5～0.000005 mm2.k/w；
6.溫度測量精度：≤0.001℃；
7.測量相對誤差：≤3%；
8.重復性誤差：≤ 3%；
9.測試時間：1～120 秒。
10.試樣測試溫度范圍：-40～130℃；標準配置：室溫。
10.試樣測試溫度范圍：-40～130℃；標準配置：室溫。
可根據(jù)客戶要求選配各種高、低溫度段控制箱(-40～130℃)或真空狀態(tài)下的測試狀態(tài),合同約定，費用另計；
11. 探頭配置：標準配置：直徑Φ15mm。
可根據(jù)客戶要求選配探頭直徑：Φ15mm、Φ7.5mm、或同時配置，合同約定，費用另計；
12. 試樣要求：
a、固體塊狀或圓形、方形、異形樣品，無須特別制備，只需一個相對平整的樣品表面,配有專用試樣裝夾裝置。Φ7.5mm探頭所測樣品最小尺寸（15x15x3.75mm), Φ15mm探頭所測樣品最小尺寸 (30x30x7.5mm)。
b、對粉狀、糊狀、液狀物質(zhì)無特殊要求,配有專用試樣測試盒。
c、所測較薄材料,可將樣品進行疊加測試。
13.采用全自動測試軟件，快速準確對樣品進行試驗過程參數(shù)分析和報告輸出。
14.電源：AC 220V±10%，50/60 Hz, 整機功率：＜500w；
14.電源：AC 220V±10%，50/60 Hz, 整機功率：＜500w；
三、探頭技術指標：
1. 加熱材料：金屬鎳；
2. 使用溫度：-50～150℃；
3. 最大功率：20w；
4. 最大電壓：20V；
5. 最大電流：1A；
6. 電阻：10Ω左右，依探頭上標注阻值為準；
7. 鎳絲規(guī)格：厚度0.01mm,熱絲寬度：0.35±0.03mm；
熱絲間距：0.35±0.03mm ；
8. 保護層材料：聚酰亞胺薄膜（Kapton）；單層厚度：0.06mm；
9. 探頭直徑：Φ15mm,Φ7.5mm兩種。
10.探頭總厚度（包括粘結(jié)層厚度）0.07±0.02mm。
1. 加熱材料：金屬鎳；
2. 使用溫度：-50～150℃；
3. 最大功率：20w；
4. 最大電壓：20V；
5. 最大電流：1A；
6. 電阻：10Ω左右，依探頭上標注阻值為準；
7. 鎳絲規(guī)格：厚度0.01mm,熱絲寬度：0.35±0.03mm；
熱絲間距：0.35±0.03mm ；
8. 保護層材料：聚酰亞胺薄膜（Kapton）；單層厚度：0.06mm；
9. 探頭直徑：Φ15mm,Φ7.5mm兩種。
10.探頭總厚度（包括粘結(jié)層厚度）0.07±0.02mm。
